גוף חימום סיליקון ניטריד הוא סוג חשוב של קרמיקה מבנית בטמפרטורה גבוהה. יש לו את המאפיינים של מקדם התרחבות תרמית נמוך, קשיות גבוהה, מודול אלסטי גבוה, ביצועי טמפרטורה תרמית, יציבות כימית ותכונות קצה טובות. בנוסף, הוא עמיד גם בפני חמצון וקורוזיה. היתרונות גורמים לכך שיש לו סיכויי יישום. סיליקון ניטריד טהור אינו סופג אנרגיית מיקרוגל בטמפרטורת החדר. הוא כמעט חומר שקוף במיקרוגל ומסתמך על אובדן דיאלקטרי משלו לחימום. כיצד לקדם את המדגם להתחמם לטמפרטורת הסינתר באופן אחיד הוא המפתח לסינתור. ההפסד הדיאלקטרי של קרמיקה של סיליקון ניטריד הוא לא רק נמוך מאוד, אלא גם אינו משתנה הרבה עם הטמפרטורה, והמוליכות התרמית שלו אינה טובה. במהלך החימום, סביר שהסדקים והקשתות או התחממות יתר מקומית לא יתרחשו.
השתמש באבקת α-Si3N4 בטוהר גבוה כחומרי גלם, Al2O3, Y2O3 כעזרי סינר, הוסף כמות 1, השתמש באלכוהול כמדיום לאחר ערבוב, טחנת כדורים עם כדור Al2O3 למשך 24 שעות, יבש והתפזר, לחץ מראש על האבקה בלחץ של 30MPa. ולאחר מכן השתמש ב- 200MPa Press isostatically כדי ליצור מדגם של 24 × 12 (מ"מ). השתמש בתנור מיקרוגל של 2.45GHz, 6kW, קצב חימום 25 ℃/דקה; סינטור קונבנציונאלי מאמץ תנורי גרפיט ללא לחץ, מערכת הירי זהה לזיהוי מיקרוגל, וכולם נורים באטמוספרה של חנקן.
מכיוון שאובדן γ-Si3N4 במיקרוגל הוא קטן מאוד בטמפרטורות נמוכות, יש צורך ב- SiC כאלמנט חימום שסופג גלי מיקרו בטמפרטורות נמוכות. כאשר טמפרטורת המדגם חורגת מהטמפרטורה הקריטית של 1390 מעלות צלזיוס, היא תספוג מיקרוגל ליצירת חום. התוצאות מראות שמיקרוגל יכול להפוך את שלב α לשלב β של α-Si3N4 במהירות ובצפיפות. השוואת המיקרוגרפים האלקטרונים הסורקים של סינון המיקרוגל ודגימת הסינר הקונבנציונלית ב -1750 מעלות צלזיוס, תחת אותה נוסחה ואותה מערכת סינטרה, ישנם חלקיקים מוארכים גדולים יותר במטריצת החומר המרוכז במיקרוגל, והיחס וגודל החלקיקים של חלקיקים מוארכים שניהם בנוסף, לדגימה המסונפנת המקובלת אין דגימת β-Si3N4 דמוית מחט גם אם היא נשמרת על 1725 מעלות צלזיוס במהלך סינון מיקרוגל, בעוד שהסינטור המקובל ב 1800 מעלות צלזיוס אינו יכול להשיג מספר כה גדול של דגימות β-Si3N4 דמוי מחט.
